近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，同时还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。同时，信息可以按需定制有效期，也可以按需设计存储空间，“过期”的信息自动消失，从而可以大量节省存储空间。未来，基于二维半导体的准非易失性存储器，将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。（摘编自2018年4月10日上海教育新闻网）